第两百三十六章 给了一个大大的惊喜！(3/4)

迁移率比NMOS的电子迁移率低将近三倍，这导致CMOS的传输延迟比NMOS大很多。”
  “你们是怎么突破这个问题的？”
  话音还没落下，另一位专家孙教授也跟着补了一句：
  “还有一个闩锁效应的问题，CMOS在较高的电压或快速跳变的时候容易触发寄生SCR结构，导致芯片烧毁或功能异常，这个可靠性隐患你们是怎么解决的？”
  听到这两个问题，钱学明没有紧张，他早有准备，不急不缓地回道：
  “吴老师问得非常专业，这两个问题确实是CMOS路线上最大的两座山，也是业界公认的CMOS路线的难点。”
  “关于开关速度，我们做了三个层面的优化。”
  “第一，在版图设计上采用自举电路结构，把某些节点的电压在瞬间抬到超过电源电压，以此来增强驱动能力，补偿PMOS的迁移率短板。”
  “实测我们的曙光一号内部关键路径的传输延迟做到了三点八纳秒，比常规CMOS设计缩短了将近百分之四十。”
  钱学明顿了顿，继续道：“第二，我们优化了栅极材料的掺杂浓度和退火条件。”
  “我们通过控制多晶硅栅的掺杂浓度在每立方厘米十的二十次方量级，然后搭配快速热退火工艺，把栅极电阻降低了约百分之三十，这进一步压缩了RC延迟。”
  “第三，我们在工艺上采用了阱隔离技术，把P阱和N阱的掺杂曲线做陡，减小了寄生电容和漏电流。”
  “综合起来，曙光一号的主频可以达到四十兆赫兹，而功耗只有同频率NMOS芯片的八分之一。”
  吴专家听得眼睛越睁越大，整个人肉眼可见的激动起来。
  钱学明没有停，继续回答第二个问题：
  “关于闩锁效应，我们的策略是在版图层面就把触发概率降到最低。”
  “阱接触点密度比常规设计提高了两倍，同时把N阱和P阱之间的距离做到工艺允许的最小值以上，确保寄生SCR结构的触发阈值高于实际工作电压。”
  “另外我们在关键的电源线路上增加了钳位保护结构，把浪涌电压泄放通道的响应时间压缩到了纳秒级别。”
  “经过三百片次的可靠性测试，闩锁触发率低于十万分之一，完全可以满足工业级应用的要求。”
  吴专家听完，沉默了两三秒，然后喃喃地开口，如梦初醒。
  “原来能这么做……在版图上做自举，